美光推全球首款次世代伺服器超高密度记忆体模组 推进记忆体技术创新
美光科技（Nasdaq: MU）16日宣布在记忆体创新上缔造重要里程碑，成功于多个伺服器平台上展示全球首款 512GB DDR5 模组。此项成果进一步巩固美光在高效能、高容量伺服器记忆体领域的领导地位，并为企业资料中心与云端客户提供一条途径，以更高的效率支援大规模且高负载的 AI、分析、记忆体资料库与模拟密集型工作负载。AMD 与 Intel 等领先半导体业者均已积极验证此模组，其传输速率最高可达 9,200 MT/s。
此模组的高容量源自美光先进的垂直互连封装创新技术，美光指出，该产品透过直通矽晶穿孔（TSV）垂直堆叠 DRAM 晶粒，在单一 DRAM 封装内将密度最大化，同时维持现代资料中心架构所需的效能表现。此模组可在单一双路伺服器的 24 个记忆体插槽中实现最高 12TB 的 DDR5 DRAM 容量。
美光资深副总裁暨云端记忆体事业部总经理Raj Narasimhan表示，美光持续引领记忆体技术发展，推出全新等级的超高密度、高效能伺服器记忆体，协助客户将更庞大的资料集置于所需的运算引擎附近。512GB RDIMM 可实现数 TB 容量等级的伺服器，支援规模更大的 AI 与资料库工作负载、更高的虚拟化密度与更佳的功耗效率，且这一切都在既有的伺服器规格尺寸内完成。
美光正与领先的生态系伙伴密切合作，针对次世代伺服器平台进行512GB DDR5 RDIMM验证工作，以确保广泛的相容性，并为部署导入提供顺畅的路径。
AMD运算与企业 AI 平台解决方案工程企业副总裁Amit Goel则说，随著 AI 与资料密集型工作负载重塑基础架构需求，AMD 解决方案持续推进资料中心的效能、扩充性与效率。我们与美光的紧密工程合作，结合运算与记忆体创新技术，协助客户充分发挥搭载 AMD 技术平台的价值。我们携手为现代工作负载日益成长的规模与复杂度打造均衡且高效能的基础架构。
